{"created":"2023-05-15T14:58:02.945039+00:00","id":78738,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"faaa0ac3-d830-4899-9ff2-4e91579b0225"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"78738","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"78738"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00078738","sets":["10:28"]},"author_link":["840827","840822","840826","840825","840823","840824"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2019-12-10","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"Si結晶中のBiドーパントは70meVと深いドーパント準位を持ち、エラー量子訂正の方法を用いることで半無限の演算が可能となる系として期待されている。本研究の目的は、イオン注入法によりBiドーピングを行ったSi結晶(Si:Bi結晶)に対し、電気的、光学的、局所構造的、欠陥構造密度の4つの視点から欠陥を最大限除去する条件を見出し、理想的なSi: Bi試料を実現する事である。その第一段階として、イオン注入法で作製したSi:Bi試料の構造評価を蛍光Ｘ線ホログラフィ―法により行った。\nSi:Bi試料は量研のイオン照射研究施設で作製した。Biドーピングは深さ約100nm、ドーパント濃度1.3E21/cm3のボックスプロファイルとした。イオン注入試料は600℃とした。照射後、窒素ガス雰囲気中でドーパントの活性化アニールを行った。アニール後に陽電子消滅によるSパラメータを測定した結果、ボイド等欠陥が激減していることを確認した。蛍光X線ホログラフィ―はSPring-8、ビームラインBL39XUで測定した。BiイオンのホログラムはLα線（10.8 keV）で計測した。入射X線エネルギーを13.5 -18.0 keVの範囲で変化させて8枚のホログラムを取得したところ、Bi原子はSi原子置換位置にあることが分かった。今後は歪等を詳細に調べることで、量子情報処理用途に必要な３次元位置情報を得ていく。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"QST高崎サイエンスフェスタ2019","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"三木一司"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"840822","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"前川, 雅樹"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"840823","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"八方, 直久"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"840824","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"木村耕治"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"840825","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"田尻, 寛男"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"840826","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Maekawa, Masaki","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"840827","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"量子情報処理応用に向けたSi結晶へのBiドーピング","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"量子情報処理応用に向けたSi結晶へのBiドーピング"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["28"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2020-01-30"},"publish_date":"2020-01-30","publish_status":"0","recid":"78738","relation_version_is_last":true,"title":["量子情報処理応用に向けたSi結晶へのBiドーピング"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T22:44:27.298058+00:00"}