@misc{oai:repo.qst.go.jp:00078737,
 author = {前川, 雅樹 and 境, 誠司 and 和田, 健 and 宮下, 敦巳 and 河裾, 厚男 and Maekawa, Masaki and Sakai, Seiji and Wada, Ken and Miyashita, Atsumi and Kawasuso, Atsuo},
 month = {Dec},
 note = {室温磁性半導体の一つとして期待されているガドリニウム添加窒化ガリウム（GaGdN）は、4000μB/Gdもの巨大な磁化が発現することが報告されているが、その理由は明らかになっていない。原子空孔を含む場合に磁性が強まるが、どのようなメカニズムで作用するのか詳細は明らかになっていない。そこで本研究では、原子空孔に局在する電子スピンの情報を得ることが出来る、スピン偏極陽電子を用いた磁気ドップラー広がり(MDB)法を用いて、Gdイオン注入GaN中に導入される原子空孔と局在スピン、及び磁性の関係を調べた。
  試料は、GaN薄膜にGdイオン照射を行って作製した。照射後に磁化測定を行ったところ、Gd照射により磁性が発現すること、および室温でも磁性を発揮することが確認された。この試料に対し、正負磁場印加下で陽電子消滅Sパラメータの深さ依存性を測定し、その差分を測定した。空孔に磁性反応を生じない場合は差分は0となるが、本試料ではGd打ち込み領域でSパラメータ差分の上昇が見られた。これは陽電子が検出する空孔(ガリウム空孔)に局在電子スピンが存在していることを示している。今後は、磁化測定と比較することで、原子空孔がどのようにGaGdN磁性に影響するかを明らかにしていく予定である。, QST高崎サイエンスフェスタ2019},
 title = {スピン偏極陽電子ビームによるGdイオン照射窒化ガリウム薄膜の空孔局在電子スピン評価},
 year = {2019}
}