@misc{oai:repo.qst.go.jp:00078099,
 author = {佐藤, 真一郎 and 楢原, 拓真 and 山崎, 雄一 and 樋口, 泰成 and 小野田, 忍 and 土方, 泰斗 and C. Gibson, Brant and D. Greentree, Andrew and 大島, 武 and Sato, Shinichiro and Narahara, Takuma and Yamazaki, Yuichi and Higuchi, Taisei and Onoda, Shinobu and Ohshima, Takeshi},
 month = {Dec},
 note = {炭化ケイ素(SiC)半導体における電子を1個捕獲した窒素・空孔複合欠陥(NCVSi-)は、スピン量子数S = 1を有し、生体透過性が極めて高い1300 nm付近の発光を室温で示すことから、生命科学や医療分野における量子センシング（局所領域の高感度磁場・温度計測）への応用が期待されている。NCVSi-は量子ビーム照射とその後の高温熱処理によって形成されることがわかっており、発光スペクトルの温度依存性やゼロフォノン線(ZPL)の同定がなされている。しかし、量子センシングの実現にあたっては、発光スペクトルのみならず、発光遷移寿命や励起光波長依存性等、詳細な発光特性を明らかにする必要があるため、NCVSi-の光学特性を詳細に明らかにした。, QST高崎サイエンスフェスタ2019},
 title = {量子ビームを用いて形成した炭化ケイ素中の窒素・空孔複合欠陥の 近赤外発光特性},
 year = {2019}
}