@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077969,
 author = {千葉, 陽史 and 山崎, 雄一 and 佐藤, 真一郎 and 牧野, 高紘 and 山田, 尚人 and 佐藤, 隆博 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and Chiba, Yoji and Yamazaki, Yuichi and Sato, Shinichiro and Makino, Takahiro and Yamada, Naoto and Sato, Takahiro and Ohshima, Takeshi},
 month = {Sep},
 note = {SiC結晶中シリコン空孔(VSi)の光検出磁気共鳴(ODMR)信号に熱処理温度が及ぼす影響を調べた。600 °Cでの熱処理後、ODMR信号コントラストは最大となった。アニールに対する欠陥の振る舞いと欠陥準位を考慮し、EH3センターといった他の欠陥の減少がコントラストの増加に寄与したと考えられる。, 第80回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響},
 year = {2019}
}