@article{oai:repo.qst.go.jp:00077814,
 author = {宮下, 敦巳 and Miyashita, Atsumi},
 journal = {平成30年度スーパーコンピュータシステムICE X利用による研究成果報告集},
 month = {Nov},
 note = {JAEAのスーパーコンピュータシステムICE Xの利用による平成30年度の成果をまとめた。スピントロニクス材料の代表として金属NiとCo結晶基板上に成長したグラフェン及び六方晶窒化ホウ素(h-BN)のスピン偏極Ps分光スペクトルについて評価した。ポジトロニウムの生成確率を推定するため、それぞれのモデル表面における陽電子密度を導出し電子密度との密度積を求めた所、Co基板上ではグラフェン、h-BN共に6～7%のスピン偏極率を持ち、Ni基板上での4～5%のスピン偏極率と比較すると、NiよりもCoの方がスピン偏極率が高く、グラフェンとh-BNとでは大きな違いが無い事がわかり、実験から得られたスピン偏極率とよく整合した。},
 pages = {6--10},
 title = {新奇スピントロニクス材料評価に向けた電子-陽電子状態の第一原理計算},
 year = {2019}
}