@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077611,
 author = {楢原, 拓真 and 佐藤, 真一郎 and 児島, 一聡 and 山崎, 雄一 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and Narahara, Takuma and Sato, Shinichiro and Yamazaki, Yuichi and Ohshima, Takeshi},
 month = {Sep},
 note = {炭化ケイ素中の窒素・空孔複合欠陥（SiC-NVセンター）は、生体透過性が極めて高い1300nm付近の発光を室温で示し、電子スピン（スピン量子数S=1）を持つことから、生命科学や医療分野における量子センシング（局所領域の高感度磁場・温度計測）への応用が期待され居る。しかし、量子センシングの実証に不可欠となる室温での光学的なスピン状態の検出（光検出磁気共鳴(ODMR)など）は報告されていない。その理由の一つとして、現状ではSiC-NVセンターの形成条件や形成量の制御方法に関して未解明な部分が多く、SiC-NVセンターを高密度に形成する方法が明らかにされていないことが挙げられる。そこで本研究では、SiC-NVセンター密度の高濃度化を目的に不純物窒素(N)濃度の異なる4H-SiCにイオンビーム照射と熱処理を行い、N濃度がSiC-NVセンターに及ぼす影響をフォトルミネッセンス測定を用いて調査した。, 第80回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響},
 year = {2019}
}