@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077407,
 author = {田口, 富嗣 and 山本, 春也 and 大場, 弘則 and Taguchi, Tomitsugu and Yamamoto, Shunya and Oba, Hironori},
 month = {Jun},
 note = {これまでに、SiCナノチューブ及びC-SiCナノチューブの創製に成功し、さらにSiCナノチューブのイオン照射により、バルクSiCとは異なる微細組織変化挙動を示すことを明らかにしている。同様に、C-SiCナノチューブのイオン照射を行ったところ、新奇カーボンナノ材料の創製に成功したので報告する。
　イオン照射した後のC-SiCナノチューブの透過型電子顕微鏡(TEM)写真より、SiC層はアモルファス化するが、内部のカーボン層は結晶性を維持していることが分かった。また、元々存在したナノチューブの長さ方向に平行なカーボン層だけでなく、長さ方向に垂直な方向に平行な新たなカーボン層が、イオン照射により出現した。TEM像より、アモルファスSiCナノチューブ内に、長さ方向に積層した50nm以下の微小円状グラフェンと多層カーボンナノチューブが複合化された新奇構造を有するハイブリッドカーボンナノ材料の創製に成功したことが示唆された。, 日本顕微鏡学会第75回学術講演会},
 title = {C-SiCナノチューブのイオン照射による新奇ハイブリッドカーボンナノ材料の創製},
 year = {2019}
}