@misc{oai:repo.qst.go.jp:00076959,
 author = {林, 家弘 and 武山, 昭憲 and 湯田, 洋平 and 綿引, 達郎 and 村上, 尚 and 熊谷, 義直 and 大島, 武 and 東脇, 正高 and Takeyama, Akinori and Ohshima, Takeshi},
 month = {Sep},
 note = {β-Ga2O3 は、非常に大きなバンドギャップエネルギー(4.5 eV) から高い放射線耐性を有すると期待され、宇宙や原子力発電所などで用いられる半導体デバイス用材料として有望である。本研究では、縦型β-Ga2O3 ショットキーバリアダイオード (SBD) に対して、総線量1×1016 cm-2 まで電子線を段階的に照射し、デバイス特性の変化から電子線耐性を評価した。厚さ8μmのn型Ga2O3ドリフト層を有するGa2O3 (001) エピ基板に、直径200 μm の円形Pt/Ti/Au ショットキーアノード電極、裏面全面にTi/Au オーミックカソード電極を蒸着してSBDを作製した。電子線のエネルギー、線量率は、それぞれ1.5 MeV, 4.62×1012 cm-2∙s-1 であり、照射は大気中、室温で行った。
　線量が増加しても順方向立ち上がり電圧 (Von) と理想係数 (η) はほとんど変化せず、電極/Ga2O3 ショットキー界面が照射によりほぼ劣化していないことが示唆された。一方、逆方向電流は照射によりやや増加したが、増加量は非常に小さいことから、β-Ga2O3SBDが、電子線照射に対して高い耐性を有する可能性が示された。, 第80回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {β-Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの電子線照射に対する耐性},
 year = {2019}
}