@misc{oai:repo.qst.go.jp:00076935,
 author = {武山, 昭憲 and 清水, 奎吾 and 牧野, 高紘 and 山崎, 雄一 and 大島, 武 and 黒木, 伸一郎 and 田中, 保宣 and Takeyama, Akinori and Makino, Takahiro and Yamazaki, Yuichi and Ohshima, Takeshi},
 month = {Sep},
 note = {ノーマリーオフ型炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET) に室温でガンマ線を5.6MGy(H2O)まで照射し、電気特性の変化を調べた。
照射後試料のドレインリーク電流は10-10A以下の低い電流値に留まっており、ノーマリーオフ動作が維持されていることを確認した。またしきい値電圧の低下も0.1V以下に抑えられ、未照射試料と大きく変わらなかった。
これらの結果から、SiCJFETが、MGyオーダーの高線量照射に対して高い放射線耐性を持つことが明らかになった。, 第80回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果},
 year = {2019}
}