@misc{oai:repo.qst.go.jp:00075917,
 author = {阿部, 浩之 and 長田, 健介 and 武山, 昭憲 and 寺田, 大紀 and 長谷川, 伸 and 吉村, 公男 and 小野田, 忍 and 樋口, 泰成 and 佐伯, 誠一 and 白川, 昌宏 and 大島, 武 and Abe, Hiroshi and Osada, Kensuke and Takeyama, Akinori and Hasegawa, Shin and Yoshimura, Kimio and Onoda, Shinobu and Higuchi, Taisei and Saiki, Seiichi and Shirakawa, Masahiro and Ohshima, Takeshi},
 month = {May},
 note = {ナノダイヤモンド中のNV（窒素－空孔）センターは、単一細胞レベルから動物レベルまでの幅広い生体に導入することができ、それらの生命現象により誘起される微小温度変化、細胞活性に伴う磁気・電気的変化の検出やMRI（磁気共鳴画像）法を活用した体内のイメージング材料として期待されている。NVセンターの量子性を利用した量子センシング・イメージングのためには、より効率的にNVセンターを導入することに加え、量子性の優れたナノダイヤ中NVセンター形成技術が求められている。我々は今までにナノダイヤモンドに電子線照射と熱処理により高発光強度のNVセンター形成技術の最適化を図ってきた。そのようにして作製したナノダイヤモンドの表面に対して、生体導入に適した化学処理を施す必要がある。
　本研究では、電子線照射量と熱処理条件をさらに突き詰め、それら種々の条件や表面化学処理とNVセンター形成への影響を調べた。, 量子生命科学会第1回大会},
 title = {量子センシングに向けたナノダイヤモンド中のNVセンター形成},
 year = {2019}
}