@misc{oai:repo.qst.go.jp:00075856,
 author = {大島, 武 and Ohshima, Takeshi},
 month = {May},
 note = {近年、ダイヤモンド中の負に帯電した窒素－空孔（NV）の発光・スピンといった量子状態を制御することで量子コンピュータ、量子情報通信や量子センシングといった量子科学技術を実現する試みが活発になされている。これら量子科学技術では、要求されるNV濃度や位置制御は様々であり、単一から多量なNVを自在に形成する技術を確立する必要がある。我々は、電子やイオンビームといった量子ビームを活用してダイヤモンド中に効率的に高品質なNVを形成する技術を開発している。超高感度な量子センサ応用では、高濃度なNV形成が要求されるが、その場合はNを含有するダイヤモンドに電子線照射により空孔を形成し、その後、熱処理をすることでNVを形成している。特に高濃度NV形成では多量の空孔形成、即ち、高線量の電子線照射が必要であるが、高線量照射ではダイヤモンドの結晶損傷も大きくなり、熱処理を行ってもダイヤモンドの結晶性が回復しない。そこで電子線照射による結晶損傷を最低限に抑制し、且つ、電子線照射中にNVを形成することが可能な高温電子線照射技術を開発している。一方、少量のNV形成では高純度ダイヤモンドにNイオン注入によりNを導入し、熱処理を施すことでNV形成を行っている。これまで、熱処理温度といったNV形成プロセスを最適化することで、イオン注入により形成したNVでは世界最長のスピン緩和時間（T2）1.8msを達成している。数の制御では、単一Nイオン入射を用いることで単一NVの形成、N2分子イオン注入を行うことでNVペアの形成、更には、Nを複数含む分子であるアデニンイオン注入を用いることで相互作用し合う3つのNV形成にも成功している。, 量子生命科学会　第一回大会},
 title = {量子ビームを活用したダイヤモンド中への窒素－空孔（NV）形成},
 year = {2019}
}