@misc{oai:repo.qst.go.jp:00074798,
 author = {清水, 奎吾 and 田中, 保宣 and 黒木, 伸一郎 and 牧野, 高紘 and 武山, 昭憲 and 大島, 武 and Makino, Takahiro and Takeyama, Akinori and Ohshima, Takeshi},
 month = {Nov},
 note = {福島第一原発の廃炉作業において、高放射線によりモニターロボットの半導体イメージセンサが容易に破損するため、イメージセンサを構成するトランジスタには高い耐放射線性が求められている。高温、高放射線環境でも安定した動作が期待できるSiCを用いてチャネル部に酸化膜を持たないJFETを作製することで、高い耐放射線性が実現可能である。しかし、我々が以前報告したJFETは、n型エピタキシャル層の膜厚が変化するとチャネル幅Wchも変化するため、イメージセンサに求められる同一基板上にノーマリオンとオフ特性をそれぞれ作製することが困難であった。そこで本研究では、イオン注入により基板側のp型層を形成することでノーマリオンとオフ特性を安定して制御できるJFETの作製を試みた。
n型4H-SiC(0001)上に厚さ3.0µmのn型エピタキシャル層が形成された基板に、Alイオン注入によりp型層を形成した。ノーマリオンとオフ特性のJFETをそれぞれ作製する目的から、p層の注入深さを変化させた。また、ソース/ドレイン領域はPのイオン注入により形成し、すべてのイオン注入工程は基板温度600℃で行った。イオン注入後、1650℃、10分間の活性化アニールを行った。この素子を作製する上での各パラメータはTCADシミュレーションで設定した。その結果、注入深さによりノーマリーオン（しきい値電圧Vth -3.08V）、オフ（Vth　1.49V）の特性制御に成功した。, 先進パワー半導体分科会 第5回講演会},
 title = {耐放射線用4H-SiC横型JFETのしきい値制御},
 year = {2018}
}