@misc{oai:repo.qst.go.jp:00073318,
 author = {東脇, 正高 and ワン, マンホイ and 小西, 敬太 and 中田, 義 昭 and 上村, 崇史 and 林, 家弘 and 後藤, 健 and 佐々木, 公平 and 武山, 昭憲 and 牧野, 高紘 and 大島, 武 and 倉又, 朗人 and 山腰, 茂伸 and 村上, 尚 and 熊谷, 義直 and 武山 昭憲 and 牧野 高紘 and 大島 武},
 month = {Sep},
 note = {酸化ガリウム(Ga2O3) は、一半導体として見た場合、4.5 eV と非常に大きなそのバンドギャップに、材料的な特徴がほぼ集約される。実際、SiC, GaN のバンドギャップ3.3-3.4 eV を上回る半導体ということもあり、まずは次世代パワーデバイス用途で注目されている。2010 年にスタートした我々の研究開発も、これまでパワーデバイスを中心課題に据えてきた。しかしながら、唯一無二と言っても過言ではないそのバンドギャップ値から、電子デバイスだけに限っても、更に様々な
新応用分野にも可能性があることは自明である。そのため我々は、現在パワーデバイスだけに限定せず、間口を広く研究開発に取り組み始めている。
  本講演では、主にパワーデバイス応用を念頭にこれまで行ってきた、Ga2O3 トランジスタ、ダイオード開発[5] の最新の成果について紹介する。更に、パワーデバイスに続くGa2O3 デバイスの有望な用途として我々が考える、高温・多湿・放射線下などに代表される過酷な利用環境での半導体エレクトロニクス、一般に「極限環境エレクトロニクス」と呼ばれる分野への応用を目指した取り組みについても触れる予定である。, 第78回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {Ga2O3 電子デバイス開発の現状と展望 ～パワーデバイ ス、そして～},
 year = {2017}
}