@misc{oai:repo.qst.go.jp:00073208,
 author = {李, 松田 and 圓谷, 志郎 and 境, 誠司 and Songtian, Li and Entani, Shiro and Sakai, Seiji},
 month = {Dec},
 note = {グラフェンは次世代のスピントロニクス材料として注目されている[1]。しかし、現在のグラフェンスピントロニクス素子は、金属スピントロニクス素子と比較して性能が低く、特性向上が大きな課題になっている。グラフェンスピントロニクス素子の性能が低い原因の一つとして、従来の素子では、スピン偏極率が低い一般的な磁性材料(Co, Ni, Fe等)が使われてきたことが考えられる。私たちは、一般的な磁性材料の代わりに、高スピン偏極率なハーフメタルホイスラー合金を用いることによるグラフェンスピントロニクス素子の高性能化の研究に取り組んでいる。本研究では、ホイスラー合金・グラフェンスピントロニクス素子の研究の鍵となる、グラフェンとホイスラー合金からなるヘテロ構造の成膜技術を開発した。さらに、放射光分光を用いてヘテロ構造の界面の調査を行った。, QST高崎サイエンスフェスタ2018},
 title = {グラフェン/ホイスラーハーフメタルヘテロ構造の創製と界面の分光調査},
 year = {2018}
}