@misc{oai:repo.qst.go.jp:00073176,
 author = {前川, 雅樹 and 和田, 健 and 萩原, 聡 and 宮下, 敦巳 and 境, 誠司 and 河裾, 厚男 and 前川 雅樹 and 和田 健 and 萩原 聡 and 宮下 敦巳 and 境 誠司 and 河裾 厚男},
 month = {Dec},
 note = {酸化亜鉛（ZnO）や窒化ガリウム（GaN）のような金属酸化物または窒化物の半導体材料の中には、空孔誘起磁性を示すものがある。理論計算では、カチオン空孔が磁性の有力な源であると示されている。しかしながら、従来の測定技術では、空孔にスピンが局在していることを直接的に示せない。スピン偏極陽電子消滅分光法（SP-PAS）は、空孔に関連する磁気モーメントを検出することができる唯一の手法である。本研究では、イオン注入を行ったZnOとGaNに対し、空孔型欠陥に存在する電子スピンをSP-PAS法により検出し、磁化測定と比較することで空孔誘起磁性の発現メカニズムの解明を試みた。
 空孔を導入するために、アンドープZnO結晶およびp型GaN薄膜にそれぞれ酸素および窒素イオンを注入した。未照射状態ではSP-PAS法により得られた磁気ドップラースペクトル(MDBスペクトル)に強度は見られないが、照射後には明確なMDB強度が両方のサンプルに現れた。陽電子はカチオン空孔に高い感度を示すため、この結果はカチオン空孔における磁気モーメントの存在を示しており、空孔誘起磁性の発現に起因していると考えられる。, QST 高崎サイエンスフェスタ 2018},
 title = {スピン偏極陽電子ビームによるイオン照射窒化ガリウム薄膜の空孔局在電子スピン評価},
 year = {2018}
}