@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072907,
 author = {前川, 雅樹 and 境, 誠司 and 和田, 健 and 宮下, 敦巳 and 薮内, 敦 and 長谷川繁彦 and 前川 雅樹 and 境 誠司 and 和田 健 and 宮下 敦巳},
 month = {Aug},
 note = {希薄磁性半導体として期待されているガドリニウム添加窒化ガリウム（GaGdN）において、結晶成長中に導入されるガリウム空孔が磁性に与える影響を、スピン偏極陽電子消滅法を使って調べた。　Ga過多条件下で成長させた結晶はGaGdN相が形成され、Ga欠乏条件下ではGdNが析出する。両者ともに超常磁性を有し、さらにGa欠乏条件下ではGdNの強い強磁性が見られた。陽電子消滅法では、両者にガリウム空孔が検出された。しかし磁気ドップラー測定で得られた消滅ガンマ線エネルギースペクトルの磁気応答は、Ga過多/欠乏条件で逆の反応を示した。これは、Ga欠乏条件下では、GdはGdNとして析出してしまい、母相として残ったGaN中のガリウム空孔に陽電子が捕らえられ、そこにある窒素原子の2sp不対電子と消滅しているが、Ga過多条件下ではGaGdN中にあるガリウム空孔に陽電子は捕獲されており、不対電子はGd電子との相互作用の結果少数スピンになり、磁気ドップラースペクトルが逆の反応を示したものと考えられる。ガリウム空孔は磁性反応を示し、超常磁性に影響を与えうることが示唆された。, 18th international conference on positron annihilation (ICPA-18)への参加(前川雅樹)},
 title = {Magnetic Doppler Broadening  Measurement on  Gadolinium-doped GaN},
 year = {2018}
}