@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072733,
 author = {高野, 修平 and 牧野, 高紘 and 原田, 信介 and 児島, 一総 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and 高野 修平 and 牧野 高紘 and 大島 武},
 month = {Sep},
 note = {放射線入射によって半導体デバイス内に誘起される電荷のデバイス内部での輸送過程には未だ不明な点が多く、その解明が急務となっている。本研究では、ゲート構造の異なるSiC-MOSFETにサイクロトロンからの重イオンをそれぞれ照射し、デバイス内部に誘起される電荷の量を測定することで、イオン誘起電荷量のデバイス構造依存性を調べた。, 第78回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {SiCパワーMOSFETにおける重イオン誘起電荷収集のデバイス構造依存性},
 year = {2017}
}