@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072635,
 author = {前田, 佳均 (九工大) and 淵, 雅也 (九工大) and 有馬, 幹尋 (九工大) and 寺井, 慶和 (九工大) and 鳴海, 一雅 and 鳴海 一雅},
 month = {Dec},
 note = {Si(111)基板上にエピタキシャル成長したβ-FeSi2(110)、(101)について、その結晶性を評価するために、Si<111>軸方向の原子列での軸に垂直な方向の原子変位をラザフォード後方散乱/チャネリング法により評価した。その過程でβ-FeSi2薄膜中で起こるイオンの多重散乱を考慮し、イオン散乱の入射エネルギー依存性から非チャネリング散乱とその原因である欠陥について検討し、以下の結果を得た。(1) β-FeSi2薄膜中のSi原子列での原子変位は0.04 nmであることがわかり、β-FeSi2(101)、(110)//Si(111）ヘテロ界面の積層欠陥1層あたりの高さは0.05 nmであるので、β-FeSi2(101)、(110)//Si(111)ヘテロ界面には6つの等価なドメイン成長によって形成される積層欠陥があると推察できる。(2) イオン散乱の入射エネルギー依存性より、β-FeSi2薄膜中には空間分布した転位などの欠陥があり、β-FeSi2(101)、(110)//Si(111)ヘテロ界面の欠陥の主な原因は積層欠陥であることがわかった。そのため非チャネリング散乱の主な原因は積層欠陥であると実証できた。, QST高崎サイエンスフェスタ2017},
 title = {MBE成長 β-FeSi2/Si ヘテロエピタキシャル界面の評価},
 year = {2017}
}