@misc{oai:repo.qst.go.jp:00071949,
 author = {千葉, 敦也 and 千葉 敦也},
 month = {Jun},
 note = {従来のC60-負イオンの生成方式（Csスパッター方式）では、Cs+イオンとの衝突で大半のC60が解離するため、C60-負イオンの生成量は10pA程度であった。これをタンデム加速器で加速する際、荷電変換ガスとの衝突でも多くが解離するため、加速後のC60+イオンのビーム強度は数万cpsと極めて少なく、C60+イオンの照射効果に関する研究の進捗に支障となっていた。そこで、既存のイオン源に発生する電子に昇華したC60を付着させC60-負イオンを生成する電子付着方式を考案した。その結果C60+イオンのビーム強度は飛躍的に増大した。電子付着方式は、昇華したC60にイオン源で発生した電子を付着させるものであり、電子密度を高めることで更なるビームの高強度化が期待された。そこで、電子供給源を増設し、改良を重ねた結果、現在では最大エネルギー9MeVで100pAのビーム強度を達成した。, 第29回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会},
 title = {フラーレンビームの高強度化},
 year = {2016}
}