@misc{oai:repo.qst.go.jp:00071149,
 author = {平山, 亮一 and 松本, 孔貴 and 鵜澤, 玲子 and 金子, 由美子 and 尾崎, 匡邦 and 山下, 慶 and 李, 惠子 and 白井, 敏之 and 古澤, 佳也 and 平山 亮一 and 松本 孔貴 and 鵜澤 玲子 and 金子 由美子 and 尾崎 匡邦 and 山下 慶 and 李 惠子 and 白井 敏之 and 古澤 佳也},
 month = {Jun},
 note = {重粒子線の放射線作用は直接作用が主作用ということはよく知られている。我々の実験でも、LETが1000 keV/μmを超える超高LET放射線では細胞致死の半分以上は直接作用によるものと報告してきた。しかし、1000 keV/μm以下の高LET放射線では細胞致死の半分以上は間接作用が主作用ということになる。本報告では炭素線治療ビームである6cm-SOBPビームを用いて、炭素線SOBPビーム内外の位置での細胞致死効果と間接作用の寄与について調査を行った。細胞はヒト唾液腺癌細胞株であるHSG細胞を用いて、290 MeV/n 炭素線SOBPと200 kV X線の照射を行った。細胞の生存率はコロニー形成法にて求めた。細胞致死に対する間接作用の寄与はDMSO外挿法を用いて行った。この外挿法はDMSO濃度依存的に見られる細胞防護効果を、DMSO濃度無限大に外挿し、そのときの最大細胞防護立を間接作用の寄与率として評価を行っている。X線のD10線量を基準にRBEを算出すると、炭素線SOBP中心から28mm下流（distal-end）地点で〜2.5となった。また炭素線SOBPより上流であるプラトー領域ではRBEは〜1.1であった。X線の細胞致死に対する間接作用の寄与は77%であり、炭素線SOBPプラトー領域では86%であった。最大RBE値を示した、distal-end地点では65%であった。これらの結果より、RBE値が〜2.5であっても炭素線SOBPの細胞致死作用は間接作用が主作用であることがわかった。, 第19回国際癌治療増感研究会},
 title = {炭素線SOBPビームにおける細胞致死と間接作用の寄与},
 year = {2013}
}