@misc{oai:repo.qst.go.jp:00069174,
 author = {平山, 亮一 and 野口, 実穂 and 伊藤, 敦 and 安藤, 興一 and 古澤, 佳也 and 岡安, 隆一 and 平山 亮一 and 野口 実穂 and 伊藤 敦 and 安藤 興一 and 古澤 佳也 and 岡安 隆一},
 month = {Nov},
 note = {【目的】
放射線の生物学的効果は、本質的には標的である生体高分子に対する障害に基づいている。放射線が生体高分子（特にDNA）に直接に作用し、DNAの原子が電離または励起され生物学的変化に導く一連の反応が始まる（直接作用）。また放射線が細胞内の水と作用し、フリーラジカルが生成され、それが生体高分子に到達し障害を及ぼす（間接作用）。我々はX線の細胞致死効果における間接作用の寄与を明らかにするためOHラジカルを特異的に捕捉するDMSOを用いて、DMSO濃度無限大における最大保護率を算出し、最大保護率から細胞致死効果に対するOHラジカル由来の間接作用の寄与率を求めた。また、ほとんど報告の無い無酸素環境下における間接作用の細胞致死効果についても同様な検討を行った。
【方法】
200kVp X線を用いてCHO細胞をDMSOで処理し大気下ならびに無酸素下で照射した。純窒素と二酸化炭素の混合ガスを細胞に吹き付けることにより無酸素条件を作成した（CHO細胞のOERは2.8）。各DMSO濃度における細胞生存率をShinoharaらの手法（Shinohara et al., Acta Oncol., 35, 869-75. 1996）でプロットすることにより、OHラジカルの間接作用の寄与率を求めた。
【結果および考察】
DMSOを用いたOHラジカルに寄る細胞致死効果に寄与する間接作用は大気下照射で70％、無酸素下照射で60％であることがわかった。OHラジカルのG値は酸素の有無によってかわらないため（C. V. Sonntag, The Chemical Basis of Radiation Biology, 33. 1987）、生成したOHラジカルと細胞内ターゲットとの反応過程に酸素が関与し、細胞致死効果にみる間接作用の寄与の違いが生じたと考えられる。, 日本放射線影響学会第50回大会},
 title = {大気下ならびに無酸素下でのOHラジカルによる間接作用の細胞致死効果},
 year = {2007}
}