@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066953,
 author = {錦戸, 文彦 and 高田, 英治 and 山岸正和 and 鋪田, 嚴 and 新田, 宗孝 and 田久, 創大 and Ｋａｎｇ, Ｈａｎ Ｇｙｕ and 山谷, 泰賀 and 錦戸 文彦 and 高田 英治 and 新田 宗孝 and 田久 創大 and Ｋａｎｇ Ｈａｎ Ｇｙｕ and 山谷 泰賀},
 month = {Sep},
 note = {有機半導体は非常に薄く軽量な素子が作成可能であること、殆どが生体を構成する物質でできていることなど、医用放射線検出器としての有利な特徴を有している。そこで我々のグループでは、粒子線治療下での線量測定を目的として、有機半導体の炭素線計測への応用の研究を進めている。現在、有機半導体としてルブレン単結晶 (5,6,11,12-テトラフェニルナフタセン)を用いて評価を行っている。素子の作成にはPVT(Physical vapor transport)法を用い、サイズが196 μm × 66 μm、厚さが1 μm以下になる単結晶を作成した。ルブレン単結晶の両側に電極に取り付け、バイアス電圧の付加・出力信号の取り出しを行った。バイアス電圧は10 Vから50 Vまで変化をさせながら掛け、それぞれの場合での収集電荷量を測定した。実験は放医研の重粒子加速器施設HIMACの物理コースで行い、290MeV/nの炭素線をルブレン単結晶に直接入射させ測定を行った(図1)。ビームサイズは素子の位置で直径約1cm、ビーム強度は106 ~ 108 particle per secondの間で調整を行った。図2に各ビーム強度におけるバイアス電圧とルブレン単結晶からの出力との関係を示す。縦軸は照射された炭素線の粒子数で校正されており、最も出力が大きかったデータを1としている。図から、電圧を上げると収集電荷量は増加していることがわかる。また、ビーム強度が大きくなるにつれ、収集電荷量が減少している。これは、高い電圧を掛けた場合でもキャリアの移動度が十分でなく、電極に到達する前に失われていることを示している。炭素線、特に高強度・高LET領域で使用するためには、より電荷移動度が高い材料を開発する必要があると結論出来る。, 第79回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {炭素線治療への応用を目的としたルブレン有機単結晶半導体の特性評価},
 year = {2018}
}