@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066936,
 author = {佐藤, 真一郎 and 出来, 真斗 and 中村, 徹 and 西村, 智朗 and 大島, 武 and 佐藤 真一郎 and 大島 武},
 month = {Sep},
 note = {結晶欠陥などに存在する電子スピンをプローブとし、磁場や温度との相互作用による電子スピンの状態変化を光検出磁気共鳴(ODMR)により観測し、ナノスケールという微小領域の磁場・温度を高感度計測する「量子センシング」が近年注目されている。窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したランタノイド(Ln)は、室温でも狭い線幅で高輝度の発光を示し、電流注入による発光制御ができることから、電気的制御に基づく量子センサーへの応用が期待できるが、その実現のためには、微小領域に注入したLnの高強度発光を高いコントラストで観測する必要がある。そこで我々は、GaNの微小領域に注入したLnの一種であるプラセオジム(Pr)からの発光の観測を行ったので報告する。, 第79回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {窒化ガリウムの微小領域にイオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測},
 year = {2018}
}