{"created":"2023-05-15T14:48:51.791613+00:00","id":66933,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"4d06540c-3846-448e-b09c-c55eb383cbbe"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"66933","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"66933"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00066933","sets":["10:29"]},"author_link":["657961","657960"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2018-09-10","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"時間依存密度汎関数法(TDDFT)に基づく第一原理シミュレーションによるSiCの２パルス照射励起過程の解明を目的としている。最初に単純に800nmの２パルス照射をシミュレートした。TDDFTには電子散乱過程が入らないため、これは緩和の全くない系の励起過程に等しい。次に荷電帯と伝導帯それぞれ別の温度をDFTから計算し、初期波動関数とした。これは電子—空孔の相互作用が起きるより前の時間帯（数10 fs）での励起に相当する。次に第一パルスによる励起エネルギーを再現する有限温度DFTにより初期波動関数を計算し、第2パルスによる電子励起を計算した。これは電子と空孔がそれぞれバンドの下部と上部に集中した状態であり、数100fs以降での照射に相当する。その結果、第2パルスの吸収効率は1温度モデルが最も高く、次に2温度モデル、TDDFTによる2パルス照射が最も効率が悪語った。\n第1パルス照射による電子励起は非常に高い電子温度に対応しており、励起電子は伝導帯にかなり均等に分布している。この温度をFermi分布として計算した2温度DFTはさらに均質な分布を作っている。励起電子数を合わせた1温度DFTでは電子はバンド端に集中する。これらの結果から第2パルス照射時のプラズマの状態が加工効率に大きな影響を与えることが明らかとなった。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"日本物理学会2018年秋季大会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"乙部, 智仁"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"657960","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"乙部 智仁","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"657961","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"3C-SiCの2パルス励起における電子－空孔分布の影響","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"3C-SiCの2パルス励起における電子－空孔分布の影響"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["29"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2018-09-28"},"publish_date":"2018-09-28","publish_status":"0","recid":"66933","relation_version_is_last":true,"title":["3C-SiCの2パルス励起における電子－空孔分布の影響"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T20:43:20.679346+00:00"}