@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066908,
 author = {境, 誠司 and 境 誠司},
 month = {Sep},
 note = {近年、スピントランジスタなどスピントロニクスデバイスへの応用の観点から、磁気近接効果によるグラフェンのスピン偏極状態の制御が関心を集めている。本研究では、グラフェンとイットリウム鉄ガーネット(YIG)薄膜を積層したヘテロ構造を作製し、物質最表面の一原子層を選択的に観測できるスピン偏極準安定ヘリウム原子脱励起分光法(SPMDS)を用いて、ヘテロ構造の表面にあるグラフェンの電子・スピン状態の直接観測を試みた。グラフェンの電子状態密度を表すMDSスペクトルにグラフェンのπバンドが明確に観測され、フェルミレベル以下の線形的なスペクトル形状からディラックコーンの状態が良く保たれていることが分かった。さらに、スピン分極の大きさを表すスピン非対称率スペクトルにおいて、ディラックコーンの領域に束縛エネルギーの減少に伴うスピン非対称率の増大(符号：正)が観測された。SPMDSにおけるスピン非対称率は検出物質のスピン偏極率と符号が反転することを踏まえると、本結果から、グラフェン/YIGヘテロ構造では、グラフェンのディラックコーンがフェルミレベル以下の広いエネルギー範囲(約 1eV)に亘り負にスピン分極していることが明らかになった。, 第79回 応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {グラフェン/YIGヘテロ構造のディラックコーンスピン分極},
 year = {2018}
}