@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066861,
 author = {山崎, 雄一 and 千葉, 陽史 and 牧野, 高紘 and 佐藤, 真一郎 and 山田, 尚人 and 佐藤, 隆博 and 土方, 泰斗 and 児嶋, 一聡 and Lee, Sang-Yun and 大島, 武 and 山崎 雄一 and 千葉 陽史 and 牧野 高紘 and 佐藤 真一郎 and 山田 尚人 and 佐藤 隆博 and 大島 武},
 month = {Jul},
 note = {we created Vsi into in-plane SiC pn junction diode by using focused proton beam as small as 1 um of diameter. Characterizations suggested that PBW successfully introduced electrically excitable Vsi into the device without remarkable degradation of diode performance., 第16回核マイクロプローブの技術及び応用に関する国際会議(ICNMTA2018) への参加、及びSiC中のSPSに関する研究についての打合せ(山?雄一)},
 title = {Position-selective introduction of electrically excitable color centers in SiC pn junction diode by proton beam writing},
 year = {2018}
}