@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066851,
 author = {佐々木, 拓生 and 高橋, 正光 and 佐々木 拓生 and 高橋 正光},
 month = {Jul},
 note = {あらゆるモノがインターネットにつながるIoT（Internet of Things）は、私たちの身の回りだけでなく、ものづくりや医療、農業、観光など幅広い分野に浸透してきており、今後も爆発的な普及が予想されている。このあらゆるモノには、無線通信用の高周波デバイスやレーザなどの光デバイス、そして各種センサーが組み込まれており、IoTの進展とともにそれら関連材料の高性能化、高機能化も求められている。特に窒化ガリウム（GaN）に代表される窒化物半導体は従来のシリコン（Si）やガリウムヒ素（GaAs）を超える優れた物性値を有しており、IoT関連材料の主役として期待されている。このような背景のもと、私たちは放射光その場X線回折という測定技術を、微細構造解析プラットフォームを通して外部研究機関の方々に提供し、IoT関連材料の結晶評価を支援している。本講演では、放射光その場X線回折によって窒化物半導体結晶成長のメカニズムを研究した支援例を紹介する。, 2018年度微細構造解析プラットフォームシンポジウム},
 title = {放射光その場X線回折によるIoT関連材料の結晶評価},
 year = {2018}
}