@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066795,
 author = {出崎, 亮 and 杉本, 雅樹 and 山本, 春也 and 八巻, 徹也 and 出崎 亮 and 杉本 雅樹 and 山本 春也 and 八巻 徹也},
 month = {May},
 note = {本研究では、表面に高密度に触媒活性点を有する窒素含有カーボン材料の合成プロセスの開発を目指し、カーボン前駆体高分子材料への窒素イオン注入法の適用を検討している。分子構造中に窒素を含まないフェノール樹脂膜に対し、真空中室温において150 keV N+を1E+15 ions/cm^2照射後、有機溶媒により非照射領域を除去し、Nリッチ面をXPS装置を用いて分析した結果、Nが主にピリジン型で炭素骨格に取り込まれていることが分かった。窒素雰囲気下800℃でこの前駆体を炭化して得られたカーボン材料は、約0.8 V vs. RHEの酸素還元電位を以て触媒活性を示した。以上のことから、カーボン前駆体へのイオン注入法が触媒活性なカーボン材料を合成する上で有効であることを明らかにした。, 第12回セラミック・ガラス技術に関する環太平洋国際会議(PACRIM12)に出席},
 title = {Effect of ion implantation on precursor polymer for synthesis of carbon material with ctalytic performance},
 year = {2017}
}