@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066679,
 author = {石井, 洋晶 (京大) and 澤田, 純平 (京大) and 中嶋, 薫 (京大) and 木村, 健二 (京大) and 千葉, 敦也 and 山田, 圭介 and 平野, 貴美 and 鳴海, 一雅 and 齋藤, 勇一 and 平田, 浩一 (産総研) and 千葉 敦也 and 山田 圭介 and 平野 貴美 and 鳴海 一雅 and 齋藤 勇一},
 month = {Mar},
 note = {高速C_60イオンを用いた透過型二次イオン質量分析法(SIMS)において分析対象となる生体分子に対する損傷の定量的評価を行った。SiN薄膜(厚さ30 nm)の片面に真空蒸着法でフェニルアラニン(C_9H_11NO_2、分子量165.19)を約70 nm堆積した薄膜試料に、6 MeVのC_60^+イオンをSiN側から入射角45°で照射して、出射側の表面から前方に放出される正の二次イオンの質量スペクトルの積算照射量に対する変化を観察した。照射量の増加とともに無傷のフェニルアラニン分子イオン(プロトン付加分子、m/z=166)が減少し、逆に低質量のフラグメントイオンが増加した。この結果から無傷のフェニルアラニン分子の消失断面積が2.5×10^-12 cm^2と求められた。また、同じ照射条件でフェニルアラニンのスパッタリング収量も測定し、3.0×10^4 分子/C_60 ion（入射角 45°）の値を得た。講演では、同様の試料をフェニルアラニン側から照射した場合の結果と比較して、高速C_60イオンを用いた透過型SIMSの有効性について考察する。, 日本物理学会第73回年次大会},
 title = {6 MeV C60+ イオンを用いた透過型 SIMS におけるアミノ酸分子の照射損傷},
 year = {2018}
}