@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066419,
 author = {柴田, 優一 and 今泉, 充 and 佐藤, 真一郎 and 大島, 武 and 佐藤, 真一郎 and 佐藤 真一郎},
 month = {Sep},
 note = {宇宙用太陽電池において耐放射線性は特に重要な性能であり，耐放射線性の強化や軌道上放射線劣化予測を正確に行うために放射線照射効果を理解する必要がある．最近，放射線照射したInGaP太陽電池において光照射による電気特性の回復効果があることがわかった．本研究では，この現象を理解すべく電子線を照射したInGaP 太陽電池への光照射実験を行い，電気特性の回復を調べた．サンプルはInGaP単一接合太陽電池で，QST 高崎量子応用研究所にて加速エネルギー1 MeVの電子線をフルエンス1E15 cm-2照射した．光照射においては，電子線照射後のサンプルに模擬太陽光(AM0, 1sun)を3000秒間照射した．なお，光照射中のサンプルステージ温度は25℃に制御し，太陽電池端子間は開放状態とした．初期，電子線照射後および光照射後にサンプルの光電流-電圧(LIV)，暗電流-電圧(DIV)特性，容量-電圧(C-V)特性をそれぞれ測定した．その結果、3000 秒間の光照射によって開放電圧(Voc)は27 mV，短絡電流(Isc)は0.5 mA 回復した．また，Voc の回復はIscの回復のみに伴うものではなく，ダイオード因子および逆方向飽和電流の変化に依存していることが明らかとなった．加えて、C-V特性から、電子線照射により低下したキャリア密度は光照射によって回復しており，ドナー型欠陥が光照射によって減少していることが示唆された．, 第78回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {電子線照射InGaP 太陽電池の光照射による回復効果},
 year = {2017}
}