@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066083,
 author = {田口, 富嗣 and 山本, 春也 and 大場, 弘則 and 田口 富嗣 and 山本 春也 and 大場 弘則},
 month = {Dec},
 note = {研究発表者らは、カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、SiCナノチューブ、及び、カーボンナノチューブの表面にSiC層が被覆したC-SiC同軸複合ナノチューブの合成に成功している。これらナノチューブを照射温度100℃以下で、イオン照射した。その結果、SiCナノチューブは、SiC層が完全にアモルファス化し、アモルファスSiCナノチューブが形成した。スリットを用いた照射により、一本のナノチューブ内に多結晶領域とアモルファス領域が混在したヘテロ構造SiCナノチューブの合成に成功した。また、C-SiC同軸複合ナノチューブでは、SiC層は同様にアモルファス化したが、カーボン層は結晶性を保っており、且つ、照射前にはカーボン層間はチューブの長さ方向に平行であったが、照射後、チューブの径方向に平行になった。このように、イオン照射により、新奇構造を有する多層カーボンナノチューブの合成にも成功した。, 第26回 日本MRS年次大会},
 title = {Synthesis of heterostructured SiC nanotubes and new-structured multi-walled carbon nanotubes by ions irradiation-induced changes},
 year = {2016}
}