@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066026,
 author = {佐藤, 真一郎 and 佐藤 真一郎},
 month = {Nov},
 note = {宇宙用三接合太陽電池の耐放射線性を向上させるために、量子ドット層を積層した構造を導入することが検討されているが、そのような量子構造を含むデバイス中での放射線誘起欠陥の挙動は明らかになっていない。本研究では、InAs量子ドット層を含むGaAs pnダイオードに3 MeV陽子線を照射し、DLTS法を用いて照射欠陥を特定し、量的変化を明らかにした。また、照射前から存在する量子構造特有の欠陥を見出し、それがGaP歪補償層に起因するものであると考えられることがわかった。, 14-15日:2016年宇宙用電源技術連絡会に参加16-18日:測定技術に関する国際ワークショップ(AMO)に参加},
 title = {Behavior of Radiation Defects on Output Performance of Quantum Strcture Solar Cells},
 year = {2016}
}