@misc{oai:repo.qst.go.jp:00065931,
 author = {寺内正己 and 高橋秀之 and 高倉, 優 and 村野孝訓 and 小池, 雅人 and 今園, 孝志 and 長野, 哲也 and 笹井, 浩行 and 小池 雅人 and 今園 孝志},
 month = {Jun},
 note = {検出器として MCP+CMOSを搭載したSEM-SXES（軟X線発光分光）装置を用い微量ボロン（B）の検出実験を行った。試料はB,P,Cの平均組成が45、53、41 ppm(wt.%)の炭素鋼であり、5か所の様々な領域のスペクトルを観察した。測定条件は、加速電圧5kV、電流量170nA、積算時間5分であった。SEM観察からBの析出物を含むと判断された領域ではB-Kの信号が観測された。その反対に存在しないとされた領域では観察されなかった。また、析出物ごとにO-K（2次光）、C-K、N-K、B-K、S-Kの強度分布が異なることが分かった。強いB-Kピークと共にO-K、N-K強度が強く観測された領域ではB-N、B-Oの化合物の存在が示唆される。Ni表面に高密度のDLC(ダイヤモンドライクカーボン)薄膜を付加した新型高効率回折格子を用いてBの組成が10ppmの炭素鋼試料でのB検出に成功した。, 日本顕微鏡学会第72回学術講演会（JSM2016）},
 title = {SEM-SXESによる微量ボロンの化学状態分析},
 year = {2016}
}