@misc{oai:repo.qst.go.jp:00063730,
 author = {石川, 剛弘 and 磯, 浩之 and 及川, 将一 and 小西, 輝昭 and 北村, 尚 and 樋口, 有一 and 酢屋, 徳啓 and 濱野, 毅 and 今関, 等 and 石川 剛弘 and 磯 浩之 and 及川 将一 and 小西 輝昭 and 北村 尚 and 樋口 有一 and 酢屋 徳啓 and 濱野 毅 and 今関 等},
 month = {Nov},
 note = {放医研のPIXE分析システムでは、近年、定量測定の要望が多くなってきた。そのためには、イオンビーム照射量の正確な測定が必要であるが、Microbeam Scanning PIXE Line(m-PIXE)では、試料毎の形状や厚み、電導率等の違いにより試料から照射量（ビーム電流積算値）を正確に測定することは難しかった。更に、ビームをスキャンさせているためより一層難しい。そのため、定量測定技術開発の第1段として試料の状態に依らず照射量を間接的に測定できる二次電子を利用したリアルタイムビーム電流測定装置の開発を開始した。 　薄膜を利用しビームが薄膜を透過するときに発生する2次電子の量を測定し、その量から実ビーム照射量を測定するものである。
今回開発を行っているm-PIXEの構成図を図1に示す。quadrupole magnetとサンプルの間のビーム軌道上部にCeramic Channel Electron Multiplier (CEM )を取り付けた。二次電子の発生体としてPIXE分析に影響を与えにくいカーボン蒸着膜10 μg/cm2（計算上約50 nm）をサンプルの直前に設置し、サンプルの影響を受けずに測定が可能となっている。現在、予備実験中であるが、その途中経過を報告する。, 第26回PIXEシンポジム　-第3回共用施設（PASTA＆SPICE）共同研究成果報告会-},
 title = {Micro scanning PIXEにおける照射量測定システムの開発　その１},
 year = {2009}
}