@misc{oai:repo.qst.go.jp:00059596,
 author = {長岡, 俊治 and 野島, 久美恵 and 内堀, 幸夫 and 鈴木, 雅雄 and 長岡 俊治 and 野島 久美恵 and 内堀 幸夫 and 鈴木 雅雄},
 month = {Sep},
 note = {目的）宇宙放射線環境で特徴的な低線量率の重粒子線被曝による生物影響について調べるため、放医研の重粒子ガン治療装置（HIMAC）の照射ポートにビーム方向とオフセットしたインキュベータでマウス脳の初代培養を行いその影響を調べた。
実験方法）出生直後のC3Hマウスから摘出した全脳をトリプシン処理後10%FBS-DMEM培地にて培養条件とし、HIMAC照射室の照射ポートから45度オフセットした位置に設置した炭酸ガスインキュベータにて５日間培養した。この間、HIMAC稼働中に生じた散乱線によりインキュベータ内で間欠的な低線量率の重粒子線照射を行った。照射線量は、インキュベータ内外に設置した半導体検出器（LIULIN）にて経時的に記録した。重粒子線照射後、アポトーシス感受性を調べるため、200KVX線にて0.05〜4Gyの高線量率照射を行った。アポトーシスの評価は細胞を4%パラホルムアルデヒド固定後Hoechst33342にて染色し蛍光顕微鏡観察により行った。
結果と考察）HIMAC照射室内でのインキュベータ内の環境線量は、間欠的なHIMAC稼働に伴い５日間の培養中数回変化した。重粒子線のLET分布は、用いた半導体検出器の性能上正確には測定できなかったが、５日間の培養期間中の総推定線量は0.5mGy〜5mGyの範囲にありその吸収線量のみにおいても数％のアポトーシス誘導の増加が見られた。培養後のX線照射によるアポトーシス誘導率の線量依存性はコントロール（非HIMAC照射群）とは異なり、1Gy以下のＸ線照射線量までは明らかな抵抗性を示した。アポトーシス誘導率の相対変化は、0.5Gy前後までは負の変化率を示し、Ｘ線照射線量の増加に伴いむしろ減少することが明らかとなった。ことのことは、低線量率でのあらかじめの照射が細胞に適応応答を誘導していることを示している。, 日本放射線影響学会第４５回大会},
 title = {重粒子低線量率照射による脳初代培養細胞のアポトーシス感受性},
 year = {2002}
}