@article{oai:repo.qst.go.jp:00056101,
 author = {池川志穂 and 荘司和明 and 長谷, 純宏 and 野澤, 樹 and 長谷 純宏 and 野澤 樹},
 issue = {QST-M-8},
 journal = {QST　Takasaki　Annual 　Report　2016},
 month = {Mar},
 note = {富山県では、チューリップの培養技術を活用し、効率的な突然変異誘発技術の開発を目指している。２０１５年1月から高崎量子応用研究所においてチューリップの花茎由来カルス（未分化細胞塊）へのイオンビーム照射を実施し、照射後は、再分化および小球根誘導により変異集団を育成している。
本研究では、富山県育成品種「夢の紫」の花茎由来カルスに320 MeVの12C6+イオンビーム（320 C）、または107 MeVの4He2+イオンビーム（107 He）を照射（1つのカルスに対し1回のみ照射）し、照射後の生育状況により、適正なイオンビームの種類と照射量および照射時期について検討した。},
 title = {Determination of Ion Beam Irradiation Conditions for Callus of Tulip -the Second Report-},
 year = {2018}
}