@inproceedings{oai:repo.qst.go.jp:00054745,
 author = {山田, 圭介 and 千葉, 敦也 and 横山, 彰人 and 鳴海, 一雅 and 齋藤, 勇一 and 山田 圭介 and 千葉 敦也 and 横山 彰人 and 鳴海 一雅 and 齋藤 勇一},
 book = {Proceedings of the 13th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan},
 month = {Nov},
 note = {TIARAではフラーレン(C60)負イオンビーム強度の増大を目的として、電子付着方式の専用イオン源の開発を進めている。電子付着に適した電子エネルギーを探索するため、イオン生成チェンバー外部に取り付けた電子銃で電子供給するイオン源を設計・製作し、電子エネルギーを1～300eVの範囲で変えてC60負イオンビームの生成試験を行った。その結果、電子付着断面積が最大となる5eV付近でビーム強度が極大の100pAとなった。一方、20eV以上で再び増加し、300eVにおいて最大の300pAとなった。これは、チェンバー内壁から放出される数eV程度の二次電子の量がエネルギーとともに増加してC60に付着したことによると考えられる。更に、チェンバーを加熱してその内壁に付着したC60を再昇華させることで、300eVにおけるビーム強度を約30倍にできることを見出した。},
 pages = {981--982},
 title = {フラーレン負イオン源の開発},
 year = {2016}
}