@inproceedings{oai:repo.qst.go.jp:00054722,
 author = {櫻井, 健二 and 今西, 弘幸 and 松山, 知樹 and 下川, 卓志 and 松山 知樹 and 下川 卓志},
 book = {秋田県立大学ウェブジャーナルB},
 month = {Jun},
 note = {果樹の育種ではガンマ線照射による突然変異育種法が活用され，新品種の育成が行われている．一方で，イオンをサイクロトロンなどで高速に加速させ，高いエネルギーを局所的に付与するイオンビームの活用も進んでいる．この方法ではガンマ線等の物理的変異原と異なる変異スペクトラムを有することが判明している．そこで，イオンビーム照射による果樹の新しい突然変異育種法の開発を目指して，ニホンナシ茎頂培養個体を用いて，炭素イオン線を2，10および50 Gyの線量で照射し，その生育に及ぼす影響を評価した．また，改良RAPD法によって照射個体の変異誘導を解析した．ニホンナシ培養個体は，10 Gyおよび50 Gyの照射線量では，生存できないか，生存に支障をきたすことが示唆された．2 Gyの照射では生存個体が得られた．しかし，改良RAPD法では，照射個体とコントロールとの間で明確な違いは見られなかった．今後，照射線量2～10 Gyの範囲で，ニホンナシ培養個体への生物学的効果をスクリーニングすることで，さらに効率的に変異を誘発する線量を絞り込むことが必要である},
 pages = {96--100},
 title = {イオンビーム照射がニホンナシ培養個体の生育に及ぼす影響},
 volume = {3},
 year = {2016}
}