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アイテム
SiCシリコン空孔を用いた全光型量子センシングの実験
https://repo.qst.go.jp/records/2002975
https://repo.qst.go.jp/records/20029755f5edc22-c0bf-4009-8d3e-7f28cea9bd09
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2026-03-09 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | SiCシリコン空孔を用いた全光型量子センシングの実験 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference presentation | |||||||||||||||||||
| 著者 |
針井 一哉
× 針井 一哉
× 大門 俊介
× 平石 秀徳
× 土方 泰斗
× 松下 雄一郎
× 大島 武
× 好田 誠
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | シリコンカーバイド(SiC)中のシリコン空孔(VSi)は欠陥にトラップされた電子準位の磁場依存性を利用することで高感度な磁場センシングが可能なスピン欠陥である。スピン欠陥型量子センサで一般的な磁場検出原理である光検出型磁気共鳴(ODMR)法は高感度化に適するものの、励起光、蛍光に加えて磁気共鳴用の高周波が必要であり、センサ構造が複雑になる。そこで、代表的なスピン欠陥の一つであるダイヤモンド窒素-空孔中心では、磁場印加によるスピン状態の混成を利用した高周波レスの磁場センサが提案、実装されている. 我々はこの手法をVSiに援用し、マイクロ波を用いない磁場センサの開発を行うとともに、蛍光強度の角度依存性、励起光強度依存性を系統的に測定した。 | |||||||||||||||||||
| 会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 物理学会第80回年次大会 | |||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-09-18 | |||||||||||||||||||