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アイテム
4H-SiC中のシリコン空孔形成における電子線照射量と磁気感度の関係
https://repo.qst.go.jp/records/2002907
https://repo.qst.go.jp/records/20029074653b54b-6b70-4bfe-9942-f791a9befbfd
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2026-02-26 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 4H-SiC中のシリコン空孔形成における電子線照射量と磁気感度の関係 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference presentation | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
西本 瑛雄
× 西本 瑛雄
× 佐藤 真一郎
× 村田 晃一
× 花輪 雅史
× 佐伯 誠一
× 山崎 雄一
× 土田 秀一
× 土方 泰斗
× 大島 武
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素(SiC)中の負に帯電したシリコン空孔(Vsi)は、高感度な磁気センシングを可能とする量子センサとして注目されている。我々のこれまでの研究により、高エネルギー電子線照射によってVsiを形成すると、照射量に比例してVsi濃度は増加し、磁気感度もそれに応じて向上することがわかっている(S. Motoki, et al., J. Appl. Phys. 133 (2023) 154402.)。しかし、Vsi濃度が1E17 cm-3を超えるような高濃度条件における磁気感度についてはまだ十分に検討されていない。本研究では、磁気センシングの基本原理である光検出磁気共鳴(ODMR)測定から得られた磁気感度を指標として、電子線照射量との関係を系統的に評価した。 | |||||||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会 | |||||||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||||||
| 日付 | 2026-03-18 | |||||||||||||||||||||||
