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アイテム
耐放射線SiC JFET演算増幅器の評価
https://repo.qst.go.jp/records/2002424
https://repo.qst.go.jp/records/20024246c73ded6-dc48-438a-b21c-ed48a5223fa3
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 耐放射線SiC JFET演算増幅器の評価 | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
廣瀬 竜也
× 廣瀬 竜也
× 杠 幹大
× 山本 真幸
× 梅沢 仁
× 佐藤 隆英
× 黒岩 丈晴
× 武山 昭憲
× 牧野 高紘
× 大島 武
× 黒木 伸一郎
× 田中 保宣
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 近年、高温や放射線など過酷環境下で動作する炭化ケイ素（SiC）デバイスおよび集積回路の研究が進められている。本研究では、SiC接合型電界効果トランジスタ（JFET）で構成される演算増幅器（オペアンプ）のうち利得段を動作させつつ、ガンマ線を1MGyまで照射し、電圧利得と周波数特性を評価した。その結果、照射後も電圧利得および位相の周波数特性に変化は見られなかった。また、今後の照射試験に向けSiCJFETで演算増幅器を作製し、十分な電圧利得が得られることを確認した。 | |||||||||||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-19 | |||||||||||||||||||||||||||
