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アイテム
ガンマ線照射が4H-SiC JFETのリーク電流増加に及ぼす影響
https://repo.qst.go.jp/records/2002422
https://repo.qst.go.jp/records/200242270422cc7-8149-4b9b-8d26-ac3ba641020a
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| タイトル | ガンマ線照射が4H-SiC JFETのリーク電流増加に及ぼす影響 | |||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||
| 著者 |
武山 昭憲
× 武山 昭憲
× 牧野 高紘
× 田中 保宣
× 黒木 伸一郎
× 大島 武
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| 抄録 | ||||||||||||||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素（SiC）は熱や放射線による電子励起が起こりにくく、高温・放射線環境で動作する集積回路の材料として研究されている。SiC接合型電界効果トランジスタ（SiC JFET）はガンマ線照射で帯電しやすいゲート酸化膜を持たず、高線量向け素子として期待されている。これまでにSiC JFETを数MGy（メガグレイ）高線量ガンマ線に暴露するとリーク電流が増加し、照射後の時間経過とともに減少することを確かめたが、今回、リーク電流にヒステリシスが現れ、電圧掃引速度で形が変わることがわかった。このことは、リーク電流の増加に遅い準位が関与することを示唆している。 | |||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-20 | |||||||||||||||
