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アイテム
極限環境用4H-SiC CMOS D-フリップフロップ回路の研究
https://repo.qst.go.jp/records/2002421
https://repo.qst.go.jp/records/200242139896f85-216a-4abd-a33d-c6e6c02cb10e
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 極限環境用4H-SiC CMOS D-フリップフロップ回路の研究 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
尾﨑 大晟
× 尾﨑 大晟
× 目黒 達也
× 前田 知徳
× 瀬崎 洋
× 武山 昭憲
× 大島 武
× 児島 一聡
× 田中 保宣
× 黒木 伸一郎
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 高温・高放射線などの過酷な環境下でも安定動作する電子機器は、先端科学分野や産業で需要が高まっている。本研究では集積回路として、CPUを構成する重要な回路であるDタイプ フリップフロップ回路に着目し、炭化ケイ素（SiC） Dタイプ フリップフロップ回路を設計し、動作を実証した。 動作時の電源電圧はVDD=16 Vとし、信号のHighレベルも16 Vとした。例としてクロック信号を1 kHzでは、出力信号が入力信号およびクロック信号に正しく応答し、次のクロックまで状態を維持していることが確認できた。しかし、出力の立ち上がり時間が立ち下がり時間より長いことも判明した。これは回路を構成するp型電界効果トランジスタ（MOSFET）のドレイン電流が、n型MOSFETより小さいためと考えられる。 | |||||||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-19 | |||||||||||||||||||||||
