WEKO3
アイテム
4H-SiC埋め込み型フォトダイオードへの5 MGyガンマ線照射効果
https://repo.qst.go.jp/records/2002420
https://repo.qst.go.jp/records/2002420a92b12e5-0159-4404-aa5c-a6c8eb8e9979
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | 4H-SiC埋め込み型フォトダイオードへの5 MGyガンマ線照射効果 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||||||
| 著者 |
谷川 宗磨
× 谷川 宗磨
× 目黒 達也
× 武山 昭憲
× 大島 武
× 児島 一聡
× 田中 保宣
× 黒木 伸一郎
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 耐放射線炭化ケイ素（SiC）イメージセンサの実現には、イメージセンサに搭載されるフォトダイオード（PD）の量子効率（QE）低下抑制が課題である。QEの低下は、表面絶縁膜であるシリカ（SiO2）/SiC界面へのガンマ線照射による欠陥生成が原因と推測されるため、表面から埋め込んだ位置にPDを形成してイメージセンサを作製し、5 MGyまでガンマ線を照射した。またガンマ線照射試験後に300℃まで加熱し、アニールの効果を調べた。QEは、波長250 nmの紫外線を照射し算出した。 ガンマ線照射後のQEは従来型では69 %→15 %に低下したのに対し、埋め込み型は75 %→31 %と低下が抑えられ、埋め込み型PDは照射によるQE低下の軽減に有効であった。引き続いて300℃まで加熱すると、QEは増加した。これは照射により主に表面絶縁膜やSiO2/ SiC界面に蓄積した電荷が中和されたためと考えられる。 | |||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-19 | |||||||||||||||||||
