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アイテム
4H-SiC アクティブピクセルセンサの高温動作特性
https://repo.qst.go.jp/records/2002413
https://repo.qst.go.jp/records/2002413df4be0b0-e8df-41f2-981a-aeced38e2e20
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | 4H-SiC アクティブピクセルセンサの高温動作特性 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||||||
| 著者 |
秦 佑輔
× 秦 佑輔
× 目黒 達也
× 武山 昭憲
× 大島 武
× 児島 一聡
× 田中 保宣
× 黒木 伸一郎
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素(SiC)を用いたフォトダイオード(PD)、イメージセンサ（アクティブピクセルセンサ、APS)を試作し高温動作特性を評価した。APSの出力電圧は50℃から400℃まで50℃刻みで、それぞれUV(250 nm)照射ある・なしで測定した。UV照射時の出力電圧は、50℃では0.30 Vであったが400℃では0.39 Vまで増加した。これは高温でAPSに搭載されるn型電界効果トランジスタ（MOSFET）のしきい値電圧が低下するとともに、SiCのバンドギャップエネルギーが狭まり、PDがエネルギーの低い長波長側の光を吸収可能になったためと考えられる。 | |||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-19 | |||||||||||||||||||
