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アイテム
放射線劣化フリーのGaAsヘテロpn接合太陽電池
https://repo.qst.go.jp/records/2002204
https://repo.qst.go.jp/records/20022040f9e22fc-2d1f-4273-a1f8-59fc40ce35bb
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-09-22 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 放射線劣化フリーのGaAsヘテロpn接合太陽電池 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference presentation | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
中村 徹哉
× 中村 徹哉
× 渡辺健太郎
× 日野眞生
× 浅見明太
× 山崎 翔太
× 佐藤 真一郎
× 長澤 尚胤
× 大島 武
× 杉山 正和
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 現在宇宙用として主流のInGaP/GaAs/Ge 3接合太陽電池の課題の一つは，3接合を構成するサブセルの一つであるGaAs太陽電池の放射線劣化を抑制できていないことである．これまでに，GaAs太陽電池の空乏領域における放射線欠陥起因の非発光再結合損失を抑制する構造として異種材料を使ったヘテロpn接合構造を提案し，空乏領域をGaAsよりも広ギャップの材料内に形成することで，空乏領域における非発光再結合損失の増加抑制に成功した[2]．しかしGaAsの中性領域における非発光再結合損失の増加抑制は達成できていなかった．そこで，本研究では，GaAs太陽電池の空乏/中性の両領域での放射線による非発光再結合損失を同時に抑制して，高い耐放射性を有するGaAs太陽電池の実現を目指す．まず中性領域の放射線による非発光再結合損失を相対的に減らすため，ベース層における発光再結合レートを高める設計，つまりベース層の高ドーピング濃度化を取り入れた．また空乏領域における劣化も同時に抑制するため，n-InGaP/p-GaAs構造を採用した． | |||||||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 第86回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-09-09 | |||||||||||||||||||||||
