WEKO3
アイテム
窒化物半導体成長ダイナミクスに関する研究
https://repo.qst.go.jp/records/2002159
https://repo.qst.go.jp/records/2002159d5b4e863-0ec7-4eab-ab89-f795e99f21ca
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||
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| 公開日 | 2025-06-06 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 窒化物半導体成長ダイナミクスに関する研究 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||||
| 資源タイプ | conference presentation | |||||||
| 著者 |
佐々木 拓生
× 佐々木 拓生
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| 抄録 | ||||||||
| 内容記述 | 我々は、窒化ガリウム（GaN）成長表面の構造を原子レベルで直接観察することを通じて、窒化物半導体薄膜成長の基礎学理の構築と、薄膜結晶のさらなる高品質化を目指した成長技術の開発に取り組んでいる。特に、分子線エピタキシャル（MBE）成長中のGaN表面は常に液体Gaによって覆われていることが、高品質な薄膜結晶が得られる条件として知られている。このため、液体GaがGaN表面に対してランダムに吸着しているのか、あるいは秩序を持って吸着しているのかは非常に興味深い問題である。これまでにも液体GaがGaN表面に形成する構造について、実験的および第一原理計算に基づく多くの理論的研究が行われてきたが、GaN成長中の表面構造を定量的に観察した報告はない。我々は、SPring-8のBL11XUに設置する表面X線回折装置を使用し、表面に敏感な散乱として知られるCrystal Truncation Rod（CTR）散乱を反射高速電子線回折（RHEED）と同時にその場で測定するシステムを構築した。このシステムにより、液体GaがGaN表面上で秩序構造を形成していく様子をダイナミックに観察することに成功した。その結果、GaN(0001)表面上には、2原子層に相当するGa原子が特定の構造を形成していることが明らかになった。さらに、得られたCTR散乱強度に基づき、構造モデルを仮定してシミュレーションを行い、Gaの格子面間隔、被覆率、温度因子を定量的に求めた。これらにより、Ga吸着層が再表面においては内部よりも面内方向にランダムに分布していることが確認された。本講演では、GaN(0001)に加えて、GaN(000-1)におけるその場測定結果も報告し、液体GaがGaN表面上で形成する秩序構造を解析した結果を紹介する。 | |||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||
| 内容記述 | 兵庫県立大学大学院理学研究科セミナー | |||||||
| 発表年月日 | ||||||||
| 日付 | 2025-06-05 | |||||||
