WEKO3
アイテム
BaTiO3/KNbO3 コアシェル型ナノコンポジット粒子の ヘテロエピタキシェル接合
https://repo.qst.go.jp/records/2002077
https://repo.qst.go.jp/records/2002077f95c2c9a-8396-4e3d-a235-d646e7c7e5f1
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2025-06-13 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | BaTiO3/KNbO3 コアシェル型ナノコンポジット粒子の ヘテロエピタキシェル接合 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference presentation | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
古川令
× 古川令× Sangwook Kim
× シャオ ミンヤン
× 大和田 謙二
× 押目 典宏
× Gopal Prasad Khanal
× 藤井一郎
× 上野慎太郎
× 和田智志
× 塚田真也
|
|||||||||||||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 近年，Pb(Zr,Ti)O3(PZT)に代表される鉛を含む強誘電体材料は，環境負荷の観点から鉛を含まない材料への転換が求められている。しかし，多くの鉛フリー強誘電体材料はPZT に比べて誘電特性が劣るのが現状である。PZT の優れた特性は濃度相境界(MPB)における分極回転メカニズムに起因すると考えられており，分極回転メカニズムを活用した新規材料の開発手法としてヘテロエピタキシャル成長による人工超格子薄膜が提案されるようになった。この手法は基板材料上に異なる強誘電体材料を交互にエピタキシャル成長させ，格子間の不整合応力によってMPB 類似の格子ひずみ領域であるStructural Gradient Regions(SGRs) を形成する手法である。BaTiO3(BT)/SrTiO3(ST)やBT/ST/CaTiO3(CT)などの複数の薄膜において，SGRs の形成による誘電特性の向上が実験および理論の両面から報告されている[1][2]。この手法をセラミックス材料へ応用するため，我々の研究グループではBT ナノ粒子を覆うようにKNbO3(KN)をエピタキシャル成長させた BT-KN コアシェルナノコンポジット粒子を作製し，3 次元的なSGRs の形成に挑戦してきた[3]。BT とKN の界面での格子ひずみが薄膜と同様に誘電特性に重要な役割を果たすことがこれまでの研究で明らかになっている[4][5]。本研究では，従来のBT コアシェル粒子よりも小さい平均粒径80 nm のBT ナノ粒子(BT80)をコアとするBT80-KN コアシェル粒子を作製し，放射光X 線回折(SXRD)を用いてSGRs の評価を行った。 | |||||||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 第42回強誘電体会議（FMA42） | |||||||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-06-12 | |||||||||||||||||||||||
