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炭化ケイ素(SiC)半導体量子センサー
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Item type | 一般雑誌記事 / Article(1) | |||||
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公開日 | 2020-07-07 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 炭化ケイ素(SiC)半導体量子センサー | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
大島, 武
× 大島, 武× Ohshima, Takeshi |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 炭化ケイ素(SiC)中の量子センサとして活用可能なスピン欠陥、特に、シリコン空孔(Vsi)について、量子センシングの原理を含めてその特徴を紹介する。加えて、Vsiの形成法として、電子線照射及びプロトンビーム描画技術について、これまでの研究成果を例に紹介する。 | |||||
書誌情報 |
月刊OPTRONICS 発行日 2020-08 |
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出版者 | ||||||
出版者 | オプトロニクス社 |