WEKO3
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{"_buckets": {"deposit": "2ce7ac57-17fd-44c7-96b2-a6a653f22a52"}, "_deposit": {"created_by": 1, "id": "59353", "owners": [1], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "59353"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:repo.qst.go.jp:00059353", "sets": ["29"]}, "author_link": ["590797", "590804", "590802", "590803", "590801", "590798", "590805", "590800", "590799"], "item_10005_date_7": {"attribute_name": "発表年月日", "attribute_value_mlt": [{"subitem_date_issued_datetime": "2002-07-05", "subitem_date_issued_type": "Issued"}]}, "item_10005_description_5": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "1. はじめに\n 近年の研究により、LETの高い放射線が低いものに比べて、より高い生物効果を与えることが示されてきた。この特徴を活かして放医研にある重粒子線ガン治療施設(HIMAC)では、LETの高い重粒子線による治療が数年前から行われており、高LET放射線による細胞死の誘起機構の解明は、これらの治療の効果と安全性を高めるためにも重要なことであると考えられる。本研究では、重粒子線照射によって引き起こされる培養細胞の細胞死と染色体損傷との間にどのような関連性があるのかを調べることを目的とし、増殖死を見るコロニーアッセイ法と、染色体損傷を見るPCC法を用いて比較した。重粒子線源は490 MeV Siイオン線を用い、培養細胞はヒト正常繊維芽細胞を用いた。\n2. 実験方法\n いずれの実験においても、接着細胞容器に培養した増殖期の細胞をサンプルとして用いた。生存率を求める実験では、250 kVp X線とSiイオン線(LET 136, 370 keV/μm)を照射し、修復の為の培養時間を10時間とした。照射から2週間後にコロニー数を測定し、生存率を求めた。染色体異常を調べる実験ではCs 137 γ線とSiイオン線(LET 136, 370 keV/μm)を2 Gy ずつ照射し、修復時間は0.5, 1, 2, 4, 10時間とした。照射後の細胞はカリキュリンAによって凝縮させ、カルノア液で固定しギムザ染色した。\n3. 結果および考察\n 生存率は予想通りX線照射で最も高く136 keV/μm Siイオン線照射で最も低かった。10時間培養後の生存率の回復はX線と370 keV/μm Siイオン線で見られたが、136 keV/μm Siイオン線ではほとんど見られなかった。10時間培養後に10%の生存率を与える線量(D10)の値は、X線、136 keV/μm、370 keV/μmで各々4.9, 1.2, 1.6(Gy)である。このことにより、136 keV/μm Siイオン線と370 keV/μm Siイオン線は、X線に対して約4.1倍、3.1倍の細胞死を誘起しやすいと言える。一方、染色体損傷については、照射後10時間の培養時間の後に形成される交換型染色体異常の数を測定して検討した結果、低LET放射線であるCs 137γ線照射に比べて、136 keV/μm Siイオン線、370 keV/μm Siイオン線ではそれぞれにおける交換型染色体異常の形成率が、約4.1倍、3.7倍であった。これらの結果から、交換型染色体異常と細胞の増殖死との間にある相関関係は高いものであることが示唆された。\n4. 結論\n 136 keV/μm 及び370 keV/μmのSiイオン線がヒト正常培養細胞に与える増殖死の効果は、X線に対して約4.1倍、3.1倍であり、交換型染色体異常の形成と関係している。", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_10005_description_6": {"attribute_name": "会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "第39回理工学における同位元素、放射線研究発表会", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "metadata only access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "船田, 文"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590797", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "加藤, 宝光"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590798", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "青木, 瑞穂"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590799", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "古澤, 佳也"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590800", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "高倉, かほる"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590801", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "加藤 宝光", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590802", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "青木 瑞穂", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590803", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "古澤 佳也", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590804", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "高倉 かほる", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "590805", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "conference object", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]}, "item_title": "Si イオン粒子線照射されたヒト正常繊維芽細胞の染色体異常と生存率", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "Si イオン粒子線照射されたヒト正常繊維芽細胞の染色体異常と生存率"}]}, "item_type_id": "10005", "owner": "1", "path": ["29"], "permalink_uri": "https://repo.qst.go.jp/records/59353", "pubdate": {"attribute_name": "公開日", "attribute_value": "2002-07-18"}, "publish_date": "2002-07-18", "publish_status": "0", "recid": "59353", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["Si イオン粒子線照射されたヒト正常繊維芽細胞の染色体異常と生存率"], "weko_shared_id": -1}
Si イオン粒子線照射されたヒト正常繊維芽細胞の染色体異常と生存率
https://repo.qst.go.jp/records/59353
https://repo.qst.go.jp/records/593537a905f2a-b79c-409f-844f-fdc8cb54982d
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2002-07-18 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Si イオン粒子線照射されたヒト正常繊維芽細胞の染色体異常と生存率 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
船田, 文
× 船田, 文× 加藤, 宝光× 青木, 瑞穂× 古澤, 佳也× 高倉, かほる× 加藤 宝光× 青木 瑞穂× 古澤 佳也× 高倉 かほる |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 1. はじめに 近年の研究により、LETの高い放射線が低いものに比べて、より高い生物効果を与えることが示されてきた。この特徴を活かして放医研にある重粒子線ガン治療施設(HIMAC)では、LETの高い重粒子線による治療が数年前から行われており、高LET放射線による細胞死の誘起機構の解明は、これらの治療の効果と安全性を高めるためにも重要なことであると考えられる。本研究では、重粒子線照射によって引き起こされる培養細胞の細胞死と染色体損傷との間にどのような関連性があるのかを調べることを目的とし、増殖死を見るコロニーアッセイ法と、染色体損傷を見るPCC法を用いて比較した。重粒子線源は490 MeV Siイオン線を用い、培養細胞はヒト正常繊維芽細胞を用いた。 2. 実験方法 いずれの実験においても、接着細胞容器に培養した増殖期の細胞をサンプルとして用いた。生存率を求める実験では、250 kVp X線とSiイオン線(LET 136, 370 keV/μm)を照射し、修復の為の培養時間を10時間とした。照射から2週間後にコロニー数を測定し、生存率を求めた。染色体異常を調べる実験ではCs 137 γ線とSiイオン線(LET 136, 370 keV/μm)を2 Gy ずつ照射し、修復時間は0.5, 1, 2, 4, 10時間とした。照射後の細胞はカリキュリンAによって凝縮させ、カルノア液で固定しギムザ染色した。 3. 結果および考察 生存率は予想通りX線照射で最も高く136 keV/μm Siイオン線照射で最も低かった。10時間培養後の生存率の回復はX線と370 keV/μm Siイオン線で見られたが、136 keV/μm Siイオン線ではほとんど見られなかった。10時間培養後に10%の生存率を与える線量(D10)の値は、X線、136 keV/μm、370 keV/μmで各々4.9, 1.2, 1.6(Gy)である。このことにより、136 keV/μm Siイオン線と370 keV/μm Siイオン線は、X線に対して約4.1倍、3.1倍の細胞死を誘起しやすいと言える。一方、染色体損傷については、照射後10時間の培養時間の後に形成される交換型染色体異常の数を測定して検討した結果、低LET放射線であるCs 137γ線照射に比べて、136 keV/μm Siイオン線、370 keV/μm Siイオン線ではそれぞれにおける交換型染色体異常の形成率が、約4.1倍、3.7倍であった。これらの結果から、交換型染色体異常と細胞の増殖死との間にある相関関係は高いものであることが示唆された。 4. 結論 136 keV/μm 及び370 keV/μmのSiイオン線がヒト正常培養細胞に与える増殖死の効果は、X線に対して約4.1倍、3.1倍であり、交換型染色体異常の形成と関係している。 |
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会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第39回理工学における同位元素、放射線研究発表会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2002-07-05 | |||||
日付タイプ | Issued |